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细分环节设备均被海外公司寡头垄断1）光刻机市场规模约160亿美元，3大拥有95%市场。国外EUV光刻机为ASML、尼康、佳能等，ASML为已能够实现前道5nm光刻。上海微电子是国内前列的光刻机制造商，公司封装光刻机国内市占率80%，全球40%，光刻机实现90nm制程，并有望延伸至65nm和45nm，公司承担多个国家重大科技专项及02专项任务。2）刻蚀设备市场规模约115亿美金，海外大供应商拥有94%市场份额。在半导体制造中有两种基本的刻蚀工艺：湿法腐蚀和干法刻蚀，目前全球主流刻蚀工艺为干法刻蚀。在湿法刻蚀中，液体化学试剂以化学方式去除硅片表面的材料。湿法腐蚀一般只是用在尺寸较大的情况下（大于3微米）。干法刻蚀是把硅片表面曝露于气态中产生的等离子体，等离子体通过光刻胶中开出的窗口，与硅片发生物理或化学反应，从而去掉曝露的表面材料。刻蚀也可以根据被刻蚀的材料类型来分类，主要分成三种：金属刻蚀、介质刻蚀、和硅刻蚀，其中介质刻蚀和硅刻蚀为主流。目前全球硅基刻蚀主要厂商为Lam(泛林集团)和AMAT(应用材料)，两者拥有97%的市场份额，介质刻蚀主要厂商为TEL(东京电子)和Lam(泛林集团)，拥有97%的市场份额。中微半导体是打入台积电7nm制程的中国设备商。 焊线机进口清关服务公司、半导体报关代理服务公司、天津二手设备进口报关代理。德国靠谱的半导体设备进口报关客服电话

国际巨头泛林集团、东京电子、应用材料均实现了硅刻蚀、介质刻蚀、金属刻蚀的全覆盖，占据了全球干法刻蚀机市场的80%以上份额。国内厂商中微半导体在介质刻蚀领域较强，其产品已在包括台积电、海力士、中芯国际等芯片生产商的20多条生产线上实现了量产;5nm等离子体蚀刻机已成功通过台积电验证，将用于全球首条5nm工艺生产线;同时已切入TSV硅通孔刻蚀和金属硬掩膜刻蚀领域。北方华创在硅刻蚀和金属刻蚀领域较强，其55/65nm硅刻蚀机已成为中芯国际Baseline机台，28nm硅刻蚀机进入产业化阶段，14nm硅刻蚀机正在产线验证中，金属硬掩膜刻蚀机攻破28-14nm制程。、晶圆制造设备——薄膜生长设备、薄膜生长设备分类采用物理或化学方法是物质(原材料)附着于衬底材料表面的过程即为薄膜生长。薄膜生长用于集成电路、先进封装、发光二极管、MEMS、功率器件、平板显示等领域。根据工作原理的不同，集成电路薄膜沉积可分为物相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)和外延三大类。、薄膜生长设备竞争格局PVD领域，AMAT一家独大，约占全球市场份额的80%以上;CVD领域，AMAT、LAM、TEL三家约占全球市场份额的70%以上。国内设备厂商中北方华创薄膜设备产品种类多，目前其28nm硬掩膜PVD已实现销售。 南通半导体设备进口报关气垫车韩国半导体设备进口报关、日本半导体设备进口报关、中国台湾半导体设备进口报关。

HJT:未来增长潜力无限异质结电池作为N型单晶双面电池的一员，早由日本三洋公司于1990年成功研发。2015年，三洋关于异质结的**保护结束，行业迎来大发展时期。异质结电池的特性包括以下几点:优点:(a)工艺流程短，工序少;(b)无光致衰减;(c)双面发电;(d)采用低温工艺从而热耗减少;(e)对称结构更利于薄片化.待改进点:(a)虽然电池效率相较于P型电池具有优势，但初期投资成本过高。目前，异质结单位投资额约为10亿元/GW，同期PERC为4亿元左右。(b)异质结电池的生产设备与现有常规晶硅电池不兼容。(c)无法采用常规晶硅电池的后续高温封装工艺，取而代之的为低温组件封装工艺。异质结电池生产工序包括:硅片→清洗→制绒→正面沉积非晶硅薄膜→背面沉积非晶硅薄膜→正反面沉积TCO薄膜→丝网印刷电极→边缘隔离→测试。概括来说，主要的四个工艺步骤为:制绒清洗→非晶硅薄膜沉积→TCO制备→电极制备。其中，非晶硅薄膜沉积、TCO制备工艺要求较高，目前以海外供应商为主。非晶硅薄膜沉积领域:主要用到的设备为等离子化学气相沉积(PECVD)与热丝化学气相沉积(Cat-CVD/HWCVD)。非晶硅沉积设备主流供应商包括美国应用材料、瑞士梅耶博格、韩国周星、日本爱发科、日本真空等。

单晶炉设备名称：单晶炉设备功能：熔融半导体材料，拉单晶，为后续半导体器件制造，提供单晶体的半导体晶坯。主要企业（品牌）：国际：德国PVATePlaAG公司、日本Ferrotec公司、美国QUANTUMDESIGN公司、德国Gero公司、美国KAYEX公司......国内：北京京运通、七星华创、北京京仪世纪、河北晶龙阳光、西安理工晶科、常州华盛天龙、上海汉虹、西安华德、中国电子科技集团第四十八所、上海申和热磁、上虞晶盛、晋江耐特克、宁夏晶阳、常州江南、合肥科晶材料技术有限公司、沈阳科仪公司......2、气相外延炉设备名称：气相外延炉设备功能：为气相外延生长提供特定的工艺环境，实现在单晶上，生长与单晶晶相具有对应关系的薄层晶体，为单晶沉底实现功能化做基础准备。气相外延即化学气相沉积的一种特殊工艺，其生长薄层的晶体结构是单晶衬底的延续，而且与衬底的晶向保持对应的关系。主要企业（品牌）：国际：美国CVDEquipment公司、美国GT公司、法国Soitec公司、法国AS公司、美国ProtoFlex公司、美国科特·莱思科。 光刻机进口报关注意问题、二手半导体设备气垫车服务、口岸海关对进口半导体设备清关要求。

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公司承担多个国家重大科技专项及02专项任务。刻蚀设备：家厂商LAM、东京电子、应用材料市占率超过90%，国产刻蚀机市占率6%，中微半导体是打入台积电7nm制程的中国设备商，北方华创的8英寸等离子蚀刻机进入中芯国际，封装环节刻蚀机基本实现国产化，国产化率近90%。镀膜设备：分为PVD和CVD，其中PVD大厂商AMAT、Evatec、Ulvac占比，CVD三大厂商AMAT、TEL、LAM占比70%，国内厂商北方华创实现28nmPVD设备的突破，16年国内市占率已经有10%，封装设备中国产PVD市占率接近70%。CVD中的MOCVD是国产化晚的领域，目前已有20%的国产化率。量测设备：主要包括自动检测设备（ATE）、分选机、探针台等。前端检测甲厂商科磊、应材、日立占比72%，后道测试设备厂商美国泰瑞达、日本爱德万占全球份额64%，分选机厂商科林、爱德万、爱普生等市占率高达70%，而探针台基本由东京精密、东京电子、SEMES垄断。国内厂商长川科技测试设备主要在中低端市场，主要在数模混合测试机和功率测试机。 德国靠谱的半导体设备进口报关客服电话

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